软损伤吸杂作用机构的分析

摘要：

用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构：当热氧化时软损诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错，硅片表面电活性区的有割杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。

关键词： 软损伤 吸杂 晶体加工 硅片

作者: 陈一 宗祥福 李积和

作者单位: 大学材料系 硅材料厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 115～118

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）