化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

摘要：

报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射，实验表明，该类材 料在温度为20～150K，光入射功率为4.5～6.0mW，观测到光荧光谱(PLS)中强度和频移对称 的多声子伴线，并讨论了它们的特性。

关键词： 布里渊散射 声子伴线 异质结构体材料

作者: 丁国庆

作者单位: 武汉电信器件公司(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 342～345

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）