利用光致发光谱和二次离子质谱研究SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为

摘要：

利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火处理的SIMOX材料的顶层硅膜.实验结果显示,SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰:它们是能量为0eV(与导带底的距离)的a峰、能量为0.33eV的b峰和能量为0.35eV的c峰.与RBS谱相比,我们发现a峰峰高及b/a峰值比是锋衡量顶层硅膜单晶完整性的标度.谱峰b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧,起施主作用.SIMS测试结果显示,谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮.

关键词： 不致发光谱 残余氧 顶层硅膜 二次离子质谱 硅绝缘材料

作者: 李映雪 张兴 黄如 王阳元 罗晏

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京海淀) 北京师范大学低能物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国兵工学会第10届测试技术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 215-219

在线出版日期: 2000-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）