ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

摘要：

以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N<,2>)t /Q(SiH<,4>)和Q(O<,2>)/Q(SiH<,4>)关系的数学模型，比模型在给定气流配比Q(N<,2>)/Q(SiH<,4>和Q(O<,2>)/Q(SiH<,4>)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好，为ECR Plasma CVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础。

关键词： 人工神经网络 回旋共振等离子体 气相沉积 介质膜

作者: 谭满清 陆建祖 李玉鉴

作者单位: 中国科学院半导体研究所工程中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 248～251

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）