MOS电容的热载流子损伤效应

摘要：

该文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并且高频C-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了MOS结构热载子损伤的特性、机理、为今后抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础。

关键词： 热载子 界面态 氧化物电荷

作者: 张国强 余学锋 任迪远 艾尔肯

作者单位: 中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 86～89

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）