热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT<,1>、LT<,2>、LT<,3>，退火后 各峰的相对强度变化很大，特别I<,LT1>/I<,LT3>=C由退火前的C>>1到退火后C<<1，退火温 度越高，C值越小，这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷As Ga及砷间隙A<,si>相关的LT<,1>能级浓度的下降，反之，与镓空位V<,Ga>相关的LT<,3>能级浓度上升。另外经800℃，10min热退火后，在LT<,2>峰处出现了负瞬态，可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸，非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的。
热退火 砷化镓 半导体材料缺陷 分子束外延
张砚华 范缇文 陈延杰
中国科学院半导体研究所材料科学实验室(北京)
国内会议
海口
中文
369～371
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）