P(VDF-TrFE)敏感膜悬空结构集成热释电线阵列研究
用聚偏氟乙烯-三氟乙烯”P(VDF-TrFE)”薄膜作16×1集成热释电线性阵列的敏感膜,经退火和70KV/mm场强极化反测得其相对介电常数为12.6,介电损耗tanδ约0.01。为了降低热导和热容,提高探测器的探测灵敏度,用化学腐蚀法完全去除了线性阵列下方的硅衬底,形成悬空结构。
热释电传感器 敏感膜悬空结构 聚偏氟乙烯--三氟乙烯薄膜
李金华 李坤 陈王丽华 蔡忠龙
江苏石油化工学院功能材料实验室(常州) 香港理工大学应用物理系及材料研究中心(香港)
国内会议
北京
中文
380~383
1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)