氮化硅陶瓷的热等静压后处理致密化机理研究

摘要：

研究了Post-HIP处理Si<,3>N<,4>的致密化机理，讨论了阻碍致密化的原车。研究结果表明：合适的HIP后处理工艺可以弥补预烧工艺中的某些偏差，从而提高材料的可靠性。HIP后处理阶段，从边缘到中心的元素浓度梯度是主要的传质动力，可溶性气体的溶解以及向边缘的传输是气孔消除的主要机制，适当失重将有利于材料的致密化。HIP致密化过程中的“阻塞”现象不利于中心处向表面的传质和中心处的致密化。预烧试样只有达到某一临界密度时，才能同时避免“桥联”现象和“阻塞”现象的发生。

关键词： 热等静压 致密化 氮化硅陶瓷

作者: 张培志 冯志峰

作者单位: 上海材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国工程陶瓷学术年会

会议地点: 广东佛山

会议语种:中文

页码: 45-47

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）