CdTe的溅射生长及其对n-HgCdTe光导器件的表面钝化

摘要：

利用Ar<”+>束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明：这里得到的cdTe／HgCdTe界面质量已经可以达到器件实用化水平。

关键词： CdTe 器件表面钝化 HgCdTe Ar<”+>束溅射沉积

作者: 周咏东 方家熊 靳秀芳 王继元 汤定元

作者单位: 大学物理科学与技术学院 科学院上海技术物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 467～469

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）