碲镉汞红外焦平面芯片钝化方案可行性的研究

摘要：

Ar<”+>束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析，通过介质膜对n-HgCdTe光导器件的表面钝化以及对CdTe／HgCdTe界面电学特性的实验分析表明，CdTe＋ZnS双层介质膜的各项指标已可以满足HgCdTe红外焦平面芯片的表面钝化需要。

关键词： CdTe ZnS HgCdTe 表面钝化 红外焦平面 碲镉汞

作者: 周咏东 方家熊 赵军 陆慧庆 汤定元

作者单位: 大学物理科学技术学院 科学院上海技术物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 113～114

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）