增加区熔中子掺杂硅单晶实收率的几个途径

摘要：

市场经济要求规模生产必须是低成本与高产出。采取稳定控制中子辐照通量以增加照命中率，提高原始电阻率均匀性分布，并由些确定适当的中子掺杂比，合理使用反型原始硅单晶等措施；可达到提高中照单晶实收率，降低生产成本的目的。

关键词： 区熔 中子掺杂 硅单晶 实收率

作者: 魏斌

作者单位: 半导体材料厂、所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 79～81

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）