H<”+>-ISFET传感器阈值电压跃变机理研究

摘要：

该文针对氢离子敏场效应管(H<”+>-ISFET)在研制过程中出现的突然反型，即阀值电压V<,T>负跳变几伏至十几伏的现象，进行了研究。以H<”+>-ISFET理论为基础，提出了反型机理及物理模型：Si<,3>N<,4>中存在一种距导带顶较近的能量状态，外界瞬时强电场可使其内部产生陷阱正电荷，最终导致阈值反型；并通过大量实验证实了由于Si<,3>N<,4>敏感膜的质量不同，会导致器件特性的极大差异。

关键词： 氢离子敏场效应管 阈值电压 能级 陷阱正电荷

作者: 郑自攀 韩泾鸿 伍仪胜

作者单位: 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 376～379

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）