稳定优质氢化非晶硅薄膜的研制

摘要：

本文在采用“化学退火”方法制备优质稳定的a-Si:H的基础上,发展了一种“不间断生长/退火”技术,在沉积过程中,用大量原子态的氢不间断地对生长表面进行所谓“化学退火”处理,并掺入微量的硼进行补偿,以控制费米能级的位置,显著改善了材料的光电性质和稳定性,同时也增大了生长速率.

关键词： 氢化非晶硅 非晶硅薄膜 薄膜沉积 光致变化效应

作者: 刁宏伟 张世斌 王永谦 廖显伯 孔光临

作者单位: 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第六届光伏会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 84-85

在线出版日期: 2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）