Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的研究
研究了ＰＺＴ铁电薄膜的Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备工艺。添加剂对薄膜晶化的影响的结果表明：由于乙酰丙酮盐分解温度高，ＡｃＡｃ作为螯合剂提高薄膜的晶化温度。烘烤温度低，会给在薄膜退火时的晶化增加困难且易造成薄膜龟裂；而烘烤温度高Ｐｂ易挥发，因此需要选择适当的烘烤温度。随着出发溶液中Ｐｂ含量的增加，薄膜晶化温度降低；而外表面ＰｂＯ覆盖层可抑制薄膜内的Ｐｂ挥发，且有利于钙钛矿相的形成。水的添加量与薄膜的龟裂密切相关，适当的添加量可避免薄膜龟裂且晶化程度提高。出发溶液配比为Ｐｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１．０５：０．５２：０．４８，经５５０℃退火２ｈ制备的ＰＺＴ薄膜的介电损耗正切约为０．０２２、自发极化为２１μＣ／ｃｍ〈’２〉、剩余极化为１５．６μＣ／ｃｍ〈’２〉。
羟基磷灰石 涂层材料 组织结构 生物与力学相容性 综述
宋世庚 符小荣
科学院新疆物理研究所
国内会议
北京
中文
84～87
1998-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）