纳米氧化锌薄膜的制备与特性研究
以SiO<,2>/Si,Au/SiO<,2>/Si和玻璃为基片,利用直流磁控溅射装置淀积了nc-ZnO薄膜,应用磁控溅射技术淀积压电nc-ZnO薄膜可以减小电子对nc-ZnO薄膜表面的轰击损伤,增加电子与反应粒子的碰撞几率,同时又减小界面应力,实验获得nc-ZnO薄膜的晶粒尺寸约为25nm,电阴率ρ>10<”9>Ω·cm,晶面族(002)X射线衍射峰位置2θ=34.44,有很好的晶态c轴取向。
薄膜晶体 压电效应 纳米薄膜材料 纳米氧化锌
林鸿溢 张焱 李映雪
北京理工大学电子工程系 北京大学微电子研究所
国内会议
厦门
中文
85~86
2000-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)