器壁硅化对电子速率分布的影响

摘要：

该文叙述HL-IM托卡马克器壁经硅化后在欧姆加热和低杂波电流驱动（LHCD）条件下。软调射线能谱、电子速率分布和电子温度变化的特点，以及用碘化汞（HgI2半导体探测器和碘化钠探测器侧出的X射线辐射强库的变化与LHCD能量沉积的关系，

关键词： 器壁硅化 软X射线能谱

作者: 杨进府 张炜府

作者单位: 业西南物理研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 181～185

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）