不同致密度a-C:D薄膜材料的氧化及氢氘同位素交换

摘要：

利用弹性反冲探测（ＥＲＤ）、质子弹性散射（ＰＥＳ）及红外谱仪，研究高密度和低密度两种ａ－Ｃ：Ｄ薄膜样品，在室温至８００Ｋ的温度范围内的稳定度。发现了两种薄膜材料在大气中氧化及氢氘同位素交换行为的区别，并讨论了反应机制。

关键词： 薄膜材料 氧化 同位素交换 氘 聚变堆壁 模拟

作者: 王玟珉

作者单位: 科学院上海原子核研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 200～201

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）