Si衬底上金刚石薄膜成核与生长的量子化学研究

摘要：

该文设计了Ｓｉ（１１１）衬底表面金刚石薄膜成核与生长中可能的反应途径，采用量子化学半经验分子轨道方法计算了该途径中各步反应的能量变化及势垒。结果表明成核期Ｓｉ基表面的脱氢势垒与生长期Ｃ基表面的脱氢势垒相差不多，而成核期Ｓｉ基表面加甲基的反应势垒明显高于生长期Ｃ基表面加甲基的反应垫垒。计算结果能够很好的解释汽相沉积法制备金刚石的过程中，成核期与生长期中ＣＨ〈，４〉相对含量变化的实验结果。

关键词： 薄膜材料 金刚石膜 成核 化学汽相沉积 分子轨道方法 垫垒

作者: 宋雪梅 王波 陈光华 周志刚

作者单位: 工业大学材料学院 工业大学环境化学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 623～624

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）