电子增强的CVD法在钨钼基体上沉积金刚石薄膜
研究了电子增强的热丝化学气相沉积法在钨、钼基体材料上制备金刚石薄膜，运用扫描电子显微镜、Ｘ射线衍射仪、激光拉曼光谱分析技术对合成膜的晶体结构、形貌、性质进行了分析，结果表明在基体与金刚石薄膜之间存在一层很薄的碳化物层。在钨、钼基体上所得到的金刚石薄膜不论形貌还是拉曼光谱特征峰位置都很相似，但其特征峰位置在１３３９ｃｍ〈’－１〉处，这与天然金刚石的拉曼光谱特征峰位置１３３２．５ｃｍ〈’－１〉相差较大。
薄膜 金刚石膜 化学汽相沉积 钨钼合金
刘文科 周劬科
有色金属研究院(西安)
国内会议
北京
中文
989～992
1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）