CVD金刚石膜后续处理工艺对其电绝缘性能的影响
金刚石膜因其优良的热导率和良好的电绝缘性能，为制造先进的半导体热沉创造了极好的条件。Ｐ．Ｇｏｎｏｎ等和Ｂ．Ｆｉｅｇｌ采用不同后续处理工艺对金刚石膜电绝缘性能做了系统研究，但后续处理对金刚石膜电绝缘性能的影响却存在明显的差异。该文采用不同后续处理工艺，系统地测量了金刚石膜电绝缘性能。结果表明：（１）金刚石膜生长面和非生长面电绝缘性能有差别；通过抛光消除金刚石膜表面导电浅层或氧化处理改变表面状态，可以提高金刚石膜的电绝缘性能。（２）真空热处理金刚石膜的电绝缘性能不发生变化。（３）金刚石膜表面导电浅层在影响它的电绝缘性能，而不是金刚石膜整体。
薄膜 金刚石膜 化学汽相沉积 绝缘性能 后续处理工艺
潘存海 杜素梅 蔡云虹
省科学院机电一体化中试基地(石家庄)
国内会议
北京
中文
632～634
1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）