CVD金刚石膜表面金属化Ti/Cu/Ni/Au体系的研究

摘要：

该文采用真空电子束蒸发实现了ＣＶＤ金刚石膜表面金属化Ｄｉａｍｏｎｄ／Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ。经测量，金刚石膜金属化后伏安特性在±１５Ｖ成线性关系。界面实现欧姆接触。利用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱证实，该金属化体系在４５０℃以内镍能阻挡钛和铜向金中扩散。利用ＰＴＤＳ－Ⅱ型光热偏转方法测量了不同工艺条件下金刚石膜表面金属化对其热导率的影响，优化工艺热导率降低可控制在６．５℅以内。

关键词： 薄膜 金刚石膜 化学汽相沉积 金属化作用 电子束蒸发

作者: 潘存海 徐英惠 王少岩

作者单位: 省科学院机电一体化中试基地(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 630～632

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）