注F CC4007电路的电子和X射线辐照效应
分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明，把适量的F注引入栅介质，能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。I-V特性表明，栅介质中的F能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注F栅介质电子和X射线辐照敏感性的降低，其机理是F能释放S/SO<,2>界面应力，并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱键。
CC4007电路 电子 X射线 辐照
张国强 郭旗 艾尔肯 余学锋
科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
国内会议
大连
中文
262～265
1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）