Au/(Si/SiO<,2>)/P型Si结构的可见电致发光研究

摘要：

Si/SiO<,2>薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO<,2>)/p-Si结构在室温下的可见电致发光，其发光谱峰位均位于660nm处，测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主 要来自于SiO<,2>层中的发光中心上的复合发光。

关键词： 薄膜 电致发光 发光中心

作者: 马书懿 马书懿 王印月 刘雪芹

作者单位: 西北师范大学物理系(兰州) 兰州大学物理科学与 技术学院(兰州) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 354～356

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）