室温溅射制备的α-SiCN:H膜的结构和光电特性研究
该文通过光吸收谱［α（λ）］、电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和电导谱研究了室温下反应溅射方法制备的氢化非晶硅碳氮薄膜（α－ＳｉＣＮ：Ｈ）的结构和光电特性。在固定甲烷流量γ〈，ＣＨ〉〈，４〉＝３℅，氢气流量γ〈，Ｈ〉〈，２〉＝１２℅的情况下改变Ｎ〈，２〉气流量（０～１４℅），研究了暗电导σ〈，Ｄ〉、光学带隙Ｅ〈，ｏｐｔ〉、自旋密度Ｎ〈，ｓ〉等随γ〈，Ｎ〉〈，２〉的变化关系，发现薄膜结构和特性受γ〈，Ｎ〉〈，２〉的明显调制，当γ〈，Ｎ〉〈，２〉～５℅左右时，膜结构和特性均有突变。他们对上述结果进行了较深入的分析。
薄膜 薄膜生长 磁控溅射 沉积温度
吴现成 王印月
大学物理系
国内会议
北京
中文
73～75
1998-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）