掺铜CdS(Se)薄膜的相结构和氧化性能

摘要：

该文用ＸＲＤ、ＡＥＳ、ＸＰＳ方法分析了喷涂烧结膜ＣｄＳ（Ｓｅ）在Ｎ〈，２〉气中退火前后的结构，表面氧含量的变化对镉，硫原子结构和电子态的影响。指出过剩镉的氧化而形成的非化学配比的ＣｄＳ（Ｓｅ）膜是影响薄膜光电性能和老化的主要原因。

关键词： 薄膜 CdS(Se)薄膜 薄膜结构 相结构 氧化 光电导性能

作者: 郑毓峰 马忠权 赵彦明 李冬来

作者单位: 大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 229～232

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）