浓硼选择深扩散的双掩蔽层工艺研究

摘要：

该文对浓硼选择深扩散工艺进行了研究，针对高浓度深扩散时由于需采用大厚度的ＳｉＯ〈，２〉掩蔽层而带来的工艺问题，提出了采用ＳｉＯ〈，２〉加ＳｉＮ〈，４〉的双层掩蔽层的改进方法。经浓硼选择深扩散实验证明，双层掩蔽层不但工艺难度低，而且掩蔽效果好，是一种很好的工艺形式。

关键词： 浓硼扩散 微机械加工工艺 掩蔽层

作者: 徐涛 田大宇 李婷

作者单位: 大学微电子所微米纳米加工技术国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 209～211

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）