2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

摘要：

对2.5G DFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对Au-Pt-Ti/InAs/p<”+>-InGaAs(掺Zn＞1×10<”19>cm<”-3>)MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p<”+>-InGaAs(掺Zn＞1×10<”19>cm<”-3>/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻值为后者的1/4。

关键词： 能带工程 欧姆接触 串联电阻

作者: 李秉臣 彭晔 朱洪亮

作者单位: 中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 289～292

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）