WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

摘要：

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850℃下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的-3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。

关键词： 难熔栅 场效应管 增强型 n沟道

作者: 刘伟吉 曾庆明 李献杰 敖金平

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 190～192

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）