纳米控制极和大功率谷间转移电子器件的研究
由能带混合量子阱和掺杂接口构成的纳米控制极对有源层中的电场结构和电子谷间转移过程产生的显著的控制效应。它使耿氏器件中的强场畴渡越模式改变成新的电场弛豫振荡模式从而显著提高了振荡效率。增大了输出功率。8mm波段的最大输出功率达2.55W，最高振荡效率达18℅。理论模拟结果同实验数据间吻合得很好，证实了新的弛豫振荡模式和纳米控制极的功能。研究了纳米控制极对器件性能的控制效能，讨论了优化器件结构和改善器件性能的前景。
纳米控制极 电场驰豫振荡 振荡效率
薛舫时
南京电子器件研究所
国内会议
厦门
中文
27～32
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）