纳米硅线的合成与结构测定

摘要：

使用纯硅粉（９９℅）与金属混合作为原料，在氩气保护环境中（１２００℃）以高能量激光轰击法成功地合成出具有纳米直径的硅线。高分辨电子显微学研究表明这种硅线具有比较均匀的直径尺寸分布，其长度大于１０μｍ。硅线的生长方向近似于〈１１２〉。大量的层错和晶界是这种硅线中的主要晶体缺陷。该文对这种奇特的硅线生长方式和微结构做了简略分析和讨论。

关键词： 纳米晶粒 纳米晶粒自组有序结构 透射电子显微镜

作者: 王宁 唐元虹

作者单位: 城市大学物理材料系

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国科协第三届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 205～207

在线出版日期: 1998-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）