纳米技术对CMOS集成电路测试的影响

摘要：

本文首先说明了纳米技术对故障测试影响的几个方面,然后详细分析了纳米技术对常用的CMOS集成电路故障模型(如:单一固定性故障模型、桥路故障模型、开路故障模型、延迟故障模型和I<,DDQ>故障模型)的影响及相应的措施,这对实际测试CMOS集成电路具有指导意义.

关键词： 纳米技术 集成电路 故障模型 金属氧化物半导体 故障测试

作者: 刘建都 牛鹏俊

作者单位: 空军工程学院 国营惠安化工军代室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第六届电子测量与仪器学术报告会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 11-14

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）