会议专题

高压下纳米SiC的结构稳定性研究

利用金刚石顶砧技术及能散X射线衍射方法,研究了高压颗粒尺寸为30nm的3C-SiC。纳米3C-SiC在44.3GPa压力范围内保持稳定,并给出其晶体结构参数与对应的粗晶SiC高压下结果的比较。

纳米材料 高压 SiC 状态方程

刘浩哲 王鲁红 靳常青

中国科学院物理研究所凝聚态物理中心 中国科学院金属研究所快速凝固非平衡合金国家重点实验室

国内会议

第十届全国高压学术讨论会

长沙

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113-116

1999-10-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)