纳米硅量子线的发光特性研究

摘要：

利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法，制备出纯度极高、直径分布均匀（１３ｎｍ左右）的硅的一维量子线。光致发光（ＰＬ）测量显示，在３１３．５ｎｍ激光激发下，室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光。对硅量子线进行氧化处理后，随氧化时间的增加，红光ＰＬ峰发生蓝移，而绿、蓝峰没有移动。红光ＰＬ与量子尺寸限制效应有关，而绿、蓝光ＰＬ来源于表层氧化硅中的缺陷发光。

关键词： 纳米材料 超细粉 纳米硅 量子线 光致发光

作者: 白志刚 俞大鹏 王晶晶 尤力平

作者单位: 大学物理系介观物理国家重点实验室 大学电子显微镜实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 404～407

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）