纳米TiO<,2>掺杂ZnO压敏电阻实验研究

摘要：

纳米TiO<,2>掺杂制备ZnO压敏电阻，由于纳米TiO<,2>具有较好的分散性，比表面积大，活性大，改善了烧结特性，更能促进晶粒长大。与微米TiO<,2>掺杂相比，压敏电压降低26℅，设计达到某一压敏电压值，纳米TiO<,2>掺杂量仅为微米TiO<,2>掺杂量的60℅。纳米TiO<,2>掺杂ZnO压敏电阻参数性能优于微米TiO<,2>掺杂。

关键词： 纳米TiO<,2> 掺杂 ZnO压电敏电阻

作者: 孙丹峰 季幼章 冯士芬 董敏

作者单位: 中国科学院固体物理研究所(合肥) 中国科学院等离子体物理研究所(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届压敏电阻器学术年会

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 19～21

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）