纳米碳化硅(SiC)薄膜结构与溅射参数的关系

摘要：

本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si(100)衬底上制备出了纳米SiC薄膜.采用高分辨原子力显微镜(AFM),观察到合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱(FTIR)的结果相吻合.改变沉积工艺参数,可以得到具有不同纳米结构的SiC薄膜.

关键词： 纳米SiC薄膜 磁控溅射

作者: 王玫 北京工业大学材料学院(北京) 黄安平 北京工业大学材料学院(北京) 张德学 北京工业大学材料学院(北京) 宋雪梅 北京工业大学材料学院(北京) 王波 北京工业大学材料学院(北京) 严辉 北京工业大学材料学院(北京) 廖波

作者单位: 新型功能材料教育部重点实验室 北京理工大学电子工程系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第二届纳米材料和技术应用会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: F19-F22

在线出版日期: 2001-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）