SIN<,x>钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

摘要：

深入地研究了SIN<,x>钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。

关键词： 膜厚度 氮化硅 SIN<,x>钝化膜

作者: 李洪芹 夏冠群 孙晓玮

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 165～169

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）