A/D转换器总剂量效应试验研究
该文介绍了CMOS模数混合电路的总剂量效应研究，以逐次逼逝型转换器ADC0809为试验样品，辐照源为Co-60γ射线源。通过试验研究，获得了ADC0809总剂量损伤阈值和ADC0809参考电压、输入－输出特性随总剂量、剂量率变化曲线。分析了逐次逼近型模数转换器的电离辐射损伤机制，给出了ADC0809器件总剂量失效模式，第一，电离辐射使器件内部模拟单元发生变化，在比较器输入端引入噪音，使运算放大器失调增加，共模电压范围变窄，共模抑制比下降。第二，辐射引起器件内部数字功能电路中MOSFET阈值电压漂移，导致整个器件功能失效。
模数转换器 总剂量效应 γ射线
曹洲 颜则东 敬辉 邵航
航天工业总公司五院五一零所(兰州)
国内会议
江苏扬州
中文
109～119
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）