用正电子湮灭方法研究氦离子等离子体附助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构

摘要：

用氦离子等离子附助分子束外延(PAMBE)方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。研究结果发现，PAMBE外延层有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮灭方法研究了这一外延层，测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。

关键词： 慢正电子湮灭 氦离子等离子体 分子束外延

作者: 白人骥 赵杰

作者单位: 天津师范大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第七届正电子湮没学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 79-83

在线出版日期: 1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）