脉冲激光淀积高质量ＺｎＯ薄膜

摘要：

利用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＺｎＯ薄膜，ＸＲＤ表明，在１００℃～４００℃温度范围内制备的ＺｎＯ薄膜是高度Ｃ轴择优取向的，ＴＥＭ表明，ＺｎＯ薄膜的生长机制以柱状生长为主。

关键词： 脉冲激光淀积 ＺｎＯ薄膜 择优取向生长

作者: 刘彦松 黄继颇 林成鲁 王连卫 李伟群

作者单位: 科学院上海冶金研究所(上海) 科学院上海硅酸盐研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 454～457

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）