掺杂浓度对a-Si:H薄膜低温铝诱导晶化的影响

摘要：

本文报道一种新的多晶硅(Poly-Si)薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响.结果证明:在250℃下可以在玻璃基底上生长出具有较大晶粒尺寸的薄膜Poly-Si材料,材料具有较好的电学性能.初始材料的掺杂浓度(B)对晶化效果有较大的影响:随着掺杂浓度的增加,晶粒尺寸、电阻率及迁移率均减小.

关键词： 铝诱导晶化,掺杂浓度 多晶硅薄膜 太阳电池 迁移率

作者: 于振瑞 天津运输工程学院基础部 Yasuhiro Matsumoto

作者单位: 南开大学光电子研究所(天津) SEES,CINVESTAV-IPN,Mexico City,Mexico

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第六届光伏会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 98-101

在线出版日期: 2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）