C<,60>固体/InP接触电学性质
在真空中,将C<,60>膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C<,60>固体/n-InP和C<,60>固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是良好的异质结,对于C<,60>/n-InP,势垒高度的典型值为0.698eV,在±1V偏压时,其整流比大于10<”5>;对于C<,60>/p-InP,势垒高度典型值为0.719eV,以及在±2V偏压时,其整流比大于10<”6>.深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,C<,60>/InP界面上存在着与样品有关的电子陷阱,其密度不高,意味着C<,60>膜对InP表面有很好的钝化作用.
C<,60>固体 InP 接触 深能级瞬态谱 电学性能
陈开茅 袁放成 泉州师院物理系(福建泉州) 陈娓兮 郭建栋 徐晓琳 张伯蕊 乔永平 朱美栋
北京大学物理系(北京)
国内会议
厦门
中文
794-796
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）