Al<,0.3>Ga<,0.7>As/GaAs表面量子阱在生长不同厚度Al层时的光调制反射光谱研究

摘要：

该文系统地研究了不同厚度的GaAs表面量子阱，在生长不同厚度的Al层后得到的光调制光谱的变化。实验表明，对于Al层较小的表面量子阱样品，表面量子阱的调制光谱峰位发生了蓝移，而对于Al层较厚的样品，表面量子阱的峰趋向平坦。

关键词： 表面量子阱 光调制光谱 GaAs 分子束外延

作者: 缪中林 陈益栋 陆卫 陈平平

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体物理学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 14-14

在线出版日期: 1999-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）