保护环结构高阻硅探测器

摘要：

定性分析了高阻硅探测器表面漏电流的产生，同时介绍了一种有效降低漏电流的方法，即保护环结构。结果表明：保护环结构使探测器的漏电流降低了0.5～1个量级。

关键词： 漏电流 高阻硅探测器 保护环

作者: 施志贵

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所(绵阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 125～127

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）