多层片式PZT系压电陶瓷微位移器位移特性研究
采用陶瓷坯膜流延成型和陶瓷坯膜/金属内电极共烧技术,制作了多层片式高合铅PzT压电陶瓷微位移器。获得了体积小、电压低位移量大(38V,1.05μm)的多层片式微位移器。对器件在直流和直流偏置交流电压作用下位移特性进行分析和研究。
流延 多层片式压电陶瓷微位移器 位移
李国荣 陈大任 沈卫 张望重 张申 殷庆瑞
科学院无机功能材料开放实验室,上海硅酸盐研究所
国内会议
重庆
中文
491~493
1998-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)