流体静压力对GaAs／AIAs超晶格室温下场畴边界自维持振荡的抑制
当对在直流偏压下能产生室温微波振荡的GaAs/AlAs超晶格二极管施加流体静压时，振荡特性会发生有巨大变化、从常压到6.5kbar，振荡仍然存在但是振荡频率和幅度随压力有所变化。平台上的最高振荡频率及其幅度在0.5至2.5kbar压力范围内分别有一下降和上升压力继续升高频率恢复到其常压值大约为142MHz。当压力超过6.5kbar时，虽然I-V曲线上的平台仍然存在但是振完全消失。平台的宽度随压力的升高而缩短。由于AlAs垒层中的X能谷随压力的升高相对于GaAS阱内的r能谷而降低，导致背景电流的增加，研究人员将振荡的抑制归因于热离子发射电流的增加。
流体静压力 GaAs／AIAs超晶格 振荡
武建青 刘振兴
科学院半导体研究所,超晶格与微结构国家重点实验室(北京)
国内会议
宜昌
中文
56～59
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）