用于OEIC的InP MISFET的研制
用MOCVD方法生长了n<”+>-InP/n-InP/SI-InP材料，以HfO<,2>为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InP MISFE。直流特性测量表明，跨导g<,m>=80-115ms/mm，开启电压V<,T>≌-3.62V，沟道的有效电子迁移率u<,eff>=674cm<”2>/V·S，界面态密度N<,ss>=9.56×10<”11>cm<”-2>。设计计算的特征频率f<”T>≌97.1GHz，最高特征频率f<,max>≌64.7GHz，尚未发现器件性能的漂移现象。该器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。
磷化铟 绝缘栅场效应管 光电集成
陈朝 傅仁武 陈松岩 刘宝林
厦门大学物理系
国内会议
海口
中文
297～300
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）