非晶硅氮薄膜的室温光致发光
本文研究了a-SiN<,x>:H薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光.结果表明,当x≥0.5时,在室温下观察到了较强的室温荧光,随氮含量增加,发光峰能量与强度不断增加,并且在富硅(x≤1.3)样品中存在两种荧光机制.当x≤0.8时,样品表现为与a-Si:H类似的荧光特性及温度特性.当x>0.8时,荧光强度和峰位均有大的增加,归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合.采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象.
量子限制 非晶硅氮薄膜 室温荧光
王燕 岳瑞峰
清华大学微电子学研究所(北京)
国内会议
上海
中文
351-353
2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）