1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

摘要：

采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA，在25℃至90℃温度范围内特征温度大于90K，并表现出较好的单纵模特性。

关键词： 量子阱结构 半导体激光器 化合物半导体

作者: 张永刚 陈建新 陈意桥

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 285～288

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）