用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAs激光器材料的量子阱混合

摘要：

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×10<”13>～5×10<”13>cm<”-2>的P<”+>离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。

关键词： 量子阱混合 波长蓝移 半导体材料 光致发光谱

作者: 刘超 李国辉 韩德俊

作者单位: 北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 236～239

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）