氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的研究

摘要：

研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律。研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，注入离子剂量，能量，及退火条件有关。研究所得的参数对设计量子阱庥成光器件有重要参考价值。

关键词： 量子阱 离子注入 带隙蓝移

作者: 王永晨 赵杰 范懿 武丽

作者单位: 师范大学物理系(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 252～258

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）